RF überlagertes DC-Sputtern von transparenten leitfähigen Oxiden
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Beschreibung
Die vorliegende Dissertation befasst sich mit dem RF- überlagerten DC-Sputtern von Indiumzinnoxid und aluminiumdotierten Zinkoxid. Bei dem dafür entwickelten synchron gepulsten RF/DC-Verfahren werden die zu untersuchenden Materialien gleichzeitig mit Hilfe eines RF- und eines PulsDC-Generators gesputtert.
Ein wesentliches Resultat der Untersuchungen ist, dass durch RF- überlagertes DCSputtern Schichten abgeschieden werden können, die im Vergleich zum DC- bzw. PulsDC-Sputtern geringere spezifische Widerstände aufweisen. Dies ist auf eine Verringerung von Defekten in den abgeschiedenen Schichten zurückzuführen. Es konnte anhand der Untersuchungen gezeigt werden, dass fur die Abscheidung von Indiumzinnoxid und aluminiumdotiertem Zinkoxid die Substrattemperatur beim RF überlagerten DC-Sputtern gegenüber dem DC-Sputtern um bis zu 100°C verringert werden kann.
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Autor*in
Bruno Heimke
Themen in »RF überlagertes DC-Sputtern von transparenten leitfähigen Oxiden«
Indiumzinnoxid (ITO) Schichtdefekte Sputtern Tempern Transparent-leitendes Oxid aluminiumdotiertes Zinkoxid (ZnO:Al) optische und elektrische Eigenschaften