AlGaN/GaN-Schichtsysteme für piezoelektrisch angeregte Resonatoren

Beschreibung

Auf Grund der gestiegenen Anforderungen für mikroelektromechanische Systeme hinsichtlich Stabilität, Skalier- und Integrierbarkeit, steigt das Interesse an neuen Materialsystemen wie z.B. Halbleitern großer Bandlücke. Diese bringen jedoch neue technologische Herausforderungen mit sich. So wurde das epitaktische Wachstum von AlGaN/GaN-Heterostrukturen mit Hilfe der Metallorganischen Gasphasenabscheidung auf selektiv ätzbare (Quasi-)Substrate übertragen, welche das anschließende Freistellen dreidimensionaler Strukturen erlauben. Darüber hinaus wurden die piezoelektrischen Eigenschaften solcher Heterostrukturen und ihre Eignung für piezoelektrische MEMS untersucht. Die Kombination der Elektroreflexion mit der Piezokraftmikroskopie erlaubte die Korrelation der unabhängig voneinander bestimmten elektrische Feldstärkeverteilung mit der Kontraktion bzw. Dehnung der Schichten und damit die zuverlässige Bestimmung des piezoelektrischen Moduls.
Verlagsausl.: Verlagshaus Monsenstein und Vannerdat, Am Hawerkamp 31, 48155 Münster

Autor*in

Katja Tonisch

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Aluminiumverbindungen Galliumverbindungen MEMS MOCVD-Verfahren Piezoelektrisches Bauelement Resonator

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