Technology of AlGaN/GaN Heterostructure MOSHFETs

Beschreibung

This work reports on the successful realization of AlGaN/GaN based MOSHFET (Metal Oxide Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor) device applications with novel gate dielectric schemes. The outstanding capabilities of the nitride material system are elucidated and the mechanisms of the polarization effects are derived, which lead to the formation of a high density two-dimensional electron gas (2DEG) at the heterojunction. Simulations lead to further improvement with respect to an optimized layer structure as well as an improved Schottky barrier height for the gate contact. Diese Arbeit berichtet von der erfolgreichen Realisierung AlGaN/GaN basierter MOSHFET (Metal Oxide Semiconductor Heterostructure Field Effect Transistor) Anwendungen mit neuartigen Gate-Dielektrika. Die außergewöhnlichen Materialeigenschaften der Nitride werden beleuchtet und daraus die Möglichkeit abgeleitet, anhand der Polarisationseffekte am Heteroübergang ein zwei-dimensionales Elektronengas (2DEG) mit sehr hoher Elektronendichte zu erzeugen. Simulationen führen zur weiteren Verbesserung der Schichtstrukturen und zur Realisierung einer Barrierenerhöhung am Gate-Kontakt.

Autor*in

David Mistele

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