Herstellung und Modifizierung heteroepitaktischer Oxidschichten auf Si

Beschreibung

Für die grossflächige Abscheidung einkristalliner Funktionsschichten bietet Silizium viele technologische Vorteile. Dabei ist die Reaktivität des Siliziums oft ein grundsätzliches Problem. Epitaktische oxidische Pufferschichten wie z.B. Yttrium-stabilisiertes Zirkonoxid (kurz: YSZ) stellen eine gangbare Lösung dafür dar. In der vorliegenden Arbeit wird die Präparation epitaktischer YSZ-Schichten mittels gepulster Laserablation (PLD) sowie die Texturoptimierung der so hergestellten Dünnschichten in nachfolgenden Temperexperimenten beschrieben. Die Charakterisierung der Proben umfasst Untersuchungen zu Struktur, Textur und Topographie. Erste Experimente zur Verwendung der Schichten als Wachstumssubstrate für die Abscheidung epitaktischer Funktionsschichten zeigen vielversprechende Ergebnisse. Insbesondere wurde ein alternativer Weg aufgezeigt für die Realisierung epitaktischer SrTiO_3 -Schichten auf Si.

Autor*in

Johannes Goldfuss

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Epitaxie YSZ

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