Full-Band Monte Carlo Simulation of Nanoscale Strained-Silicon MOSFETs

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Autor*in

Fabian M Bufler

Themen in »Full-Band Monte Carlo Simulation of Nanoscale Strained-Silicon MOSFETs«

Bandstruktur Kristallographische Orientierung MOSFET Monte Carlo Simulation TCAD Transporttheorie Ultrakurzkanaltransistor

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