High Voltage MOS Device Design: Injection Enhancement and Negative Gate Capacitance
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Beschreibung
Autor*in
Ichiro Omura
Themen in »High Voltage MOS Device Design: Injection Enhancement and Negative Gate Capacitance«
Bauelementsimulation GTO Halbleiterbauelemente Hochspannungsbauelemente IGBT Leistungselektronik MOS
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Details
ISBN: 9783896496942
Verlag: Hartung-Gorre
Erscheinung: 21.09.2005