Timm Höhr Höhr Quantum-Mechanical Modeling of Transport Parameters for MOS-Devices

Quantum-Mechanical Modeling of Transport Parameters for MOS-Devices

von Timm Höhr

EUR 64,00

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Beschreibung

Autor*in

Timm Höhr

Themen in »Quantum-Mechanical Modeling of Transport Parameters for MOS-Devices«

Shockley-Read-Hall recombination quantum transport semiconductor device modeling tunneling effect

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Details

ISBN: 9783866280878
Verlag: Hartung-Gorre
Erscheinung: 10.10.2006

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