Entwicklung und Herstellung einer Einzelphotonenquelle auf Basis von II-VI-Halbleiter-Quantenpunkten
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Beschreibung
Insgesamt demonstrieren die in dieser Arbeit präsentierten Ergebnisse die verschiedenen Entwicklungsschritte eines sowohl technisch als auch physikalisch fortentwickelten Bauelementes – angefangen von einem besseren Verständnis der Quantenpunktbildung, über Barrieren zur thermischen Stabilisierung bis hin zur Umsetzung in Form einer resonanten Leuchtdiode mit Einzelquantenpunkt-Lumineszenz bei Raumtemperatur – und offenbaren zugleich auf eindrucksvolle Weise das hohe Potential von II-VI-Halbleiter-Quantenpunkten als Quelle von Einzelphotonenemittern. Insbesondere die monolithische Herstellungsweise sollte einer möglichen industriellen Verwendung entgegenkommen und so ein weites Feld von Anwendungen, abseits von bisherigen Speziallösungen, etwa im Gebiet der Informationstechnologie künftiger Generationen eröffnen.
Insgesamt demonstrieren die in dieser Arbeit präsentierten Ergebnisse die verschiedenen Entwicklungsschritte eines sowohl technisch als auch physikalisch fortentwickelten Bauelementes – angefangen von einem besseren Verständnis der Quantenpunktbildung, über Barrieren zur thermischen Stabilisierung bis hin zur Umsetzung in Form einer resonanten Leuchtdiode mit Einzelquantenpunkt-Lumineszenz bei Raumtemperatur – und offenbaren zugleich auf eindrucksvolle Weise das hohe Potential von II-VI-Halbleiter-Quantenpunkten als Quelle von Einzelphotonenemittern. Insbesondere die monolithische Herstellungsweise sollte einer möglichen industriellen Verwendung entgegenkommen und so ein weites Feld von Anwendungen, abseits von bisherigen Speziallösungen, etwa im Gebiet der Informationstechnologie künftiger Generationen eröffnen.
Autor*in
Arne Gust
Themen in »Entwicklung und Herstellung einer Einzelphotonenquelle auf Basis von II-VI-Halbleiter-Quantenpunkten«
CdSe-Quantenpunkte Einzelphotonenquelle Einzelquantenpunkt-Lumineszenz Leuchtdiode