Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren
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Beschreibung
Im Rahmen dieser Arbeit werden die Eigenschaften von Nanodraht-Tunneltransistoren in unterschiedlichen Bauformen mit Hilfe von numerischen Simulationen analysiert. Um eine Optimierung der Schalteigenschaften zu erzielen, werden die Auswirkungen von Dotierprofilen, Geometrie und Materialeigenschaften untersucht und daran anschließend die zugrunde liegenden Mechanismen erklärt. Da das Standardmodell zur Beschreibung von Band-zu-Band Tunnelprozessen einen Fehler aufweist, wird ein korrigiertes Modell entwickelt, in den Bauelementsimulator Sentaurus Device implementiert und ausgiebig getestet. Zudem werden einige alternative Modellierungskonzepte zur Beschleunigung der Simulationen vorgestellt.
Autor*in
Alexander Heigl
Themen in »Physikalische Modellierung und numerische Simulation von Nanodraht-Tunnelfeldeffekttransistoren«
TFET Tunnelfeldeffekttransistor phononenunterstütztes Band-zu-Band Tunneln