InP-basierte Quanten-Dash-Halbleiterlaser mit optimierten Eigenschaften für Telekommunikationsanwendungen

Beschreibung

Halbleiterlaser besitzen als Sendeelemente in optischen Netzwerken eine prominente Rolle in der heutigen Informationsgesellschaft. Die Verbesserungen der Lasereigenschaften aufgrund der Reduzierung der Dimensionalität des aktiven Mediums haben zu einer überaus erfolgreichen Markteinführung von Quantenfilmlasern geführt. In konsequenter Weiterentwicklung stellen Quantenpunktstrukturen die nächste Generation aktiver Medien für optoelektronische Bauelemente dar. In dieser Arbeit wurden InP-basierte Quanten- Dash-Laserstrukturen für Anwendungen im Telekommunikationswellenlängenbereich um 1.55 µm hergestellt und untersucht. Hierbei wurden zwei Themenschwerpunkte gelegt: Zum einen die Optimierung der dynamischen Eigenschaften direkt modulierter Laser zur Steigerung der möglichen Übertragungsbandbreite und zum anderen die Kontrolle der Polarisationseigenschaften der Quanten-Dash-Strukturen, was für eine potentielle Anwendung in optischen Halbleiterverstärkern von besonderer Bedeutung ist.

Autor*in

Sebastian Hein

Themen in »InP-basierte Quanten-Dash-Halbleiterlaser mit optimierten Eigenschaften für Telekommunikationsanwendungen«

Halbleiterlaser Laserdiode Optoelektronik Quanten-Dash

Stimmen zu »InP-basierte Quanten-Dash-Halbleiterlaser mit optimierten Eigenschaften für Telekommunikationsanwendungen«

Details

Link teilen