Ho:YAG Laser mit direkter resonanter Anregung durch GaSb-Laserdiodenstacks

Beschreibung

Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wurde ein in der Betriebsart umschaltbarer Ho:YAG Hochleistungs- und Hochenergielaser mit direkter Anregung durch GaSb-Laserdiodenstacks bei einer Wellenlänge von 1,9 µm realisiert. Zur Bestimmung der Absorptionseffizienz der spektral breitbandigen Anregungsquelle wurden die Absorptionswirkungsquerschnitte von Ho:YAG bei Raumtemeperatur spektroskopisch bestimmt. Mit dieser Kenntnis und den gemessenen Emissionsspektren des Laserdiodenstacks erfolgte eine Überlappanalyse. Die Emissionswirkungsquerschnitte von Ho:YAG wurden mithilfe der Reziprozitätsmethode und der Füchtbauer-Ladenburg Methode ermittelt.

Autor*in

Samir Lamrini

Themen in »Ho:YAG Laser mit direkter resonanter Anregung durch GaSb-Laserdiodenstacks«

Elektrotechnik GaSb-Laserdiodenstacks Technik

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