GaN Devices for Low-Power Chemical Sensing

Beschreibung

Diese Arbeit beschreibt die Entwicklung von sowohl wärme- als auch lichtaktivierten Gassensoren auf der Basis des Halbleitermaterials Galliumnitrid (GaN), mit sehr geringer Leistungsaufnahme bis in den Mikrowattbereich. Die Herstellungsprozesse und Eigenschaften der Sensorplattformen werden im Detail erläutert. Die Fähigkeit, die Sensoroberfläche zu funktionalisieren und die Möglichkeit, sie in mikrophotonische GaN-Bauelemente zu integrieren, mit jeder Art von anwendbarer Oberflächenmodifikation, ermöglicht die Standardisierung der licht- und wärmeaktivierten Sensortechnologie. Darüber hinaus werden verschiedene Techniken zur Verbesserung der Geräteleistung beschrieben, die Richtlinien für Sensorgemeinschaften zur Herstellung von extrem stromsparenden Sensorsystemen auf Basis von GaN-Materialien liefern.

Autor*in

Nicolai Markiewicz

Themen in »GaN Devices for Low-Power Chemical Sensing«

Gas Sensoren auf basis von Gallium Nitrid Umweltsensoren geringer Energieverbrauch

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