Leistungsfähigkeit und Kurzschlussschutz von spätentsättigenden Micro-Pattern-Trench-IGBTs
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Beschreibung
Die Effizienz von Halbleitertransistoren bestimmt maßgeblich den Wirkungsgrad von leistungselektronischen Systemen. Dr. Stefan Hain beschreibt in seiner Dissertation, wie die Leistungsfähigkeit von 1200V IGBTs durch eine Micro-Pattern-Trench-Steuerkopfstruktur in Verbindung mit einer erhöhten Kanalweite gesteigert werden kann. Da klassische Kurzschlussdetektionsmethoden bei der Verwendung dieser Steuerkopfstruktur aufgrund des hohen Entsättigungsstroms überfordert sind, wird in diesem Buch eine neuartige, extrem schnelle Kurzschlussdetektionsmethode vorgestellt, die 2D-Detektion, welche es ermöglicht, das Potential von spätentsättigenden Micro-Pattern-Trench-IGBTs vollständig auszuschöpfen.
Autor*in
Stefan Hain
Themen in »Leistungsfähigkeit und Kurzschlussschutz von spätentsättigenden Micro-Pattern-Trench-IGBTs«
Micro-Pattern-Trench-IGBTs 2D-Kurzschlussdetektion SLC-Stromsensor