Kontaktierung Ionen-implantierter Boremitter in n-Typ Silizium-Solarzellen mittels Silber/Aluminium-Pasten

Beschreibung

Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Bor-dotierten Ionen-implantierten p+-Emittern für Solarzellen auf n-Typ Silizium und deren Kontaktierung mittels Metallpasten-Druck. Üblicherweise werden dafür Silber-Pasten eingesetzt, denen ein geringer Anteil Aluminium beigemischt wird. Dadurch können zur p+-Schicht ausreichend niedrige spezifische Kontaktwiderstände erreicht werden. Ein Ziel der Arbeit ist, die Kontaktausbildung zwischen Ag/Al-Paste und Silizium zu verstehen und damit die elektrischen Eigenschaften des Kontaktes zu erklären. Desweiteren sollen die gewonnenen Erkenntnisse dazu benutzt werden, den Wirkungsgrad von n-Typ PERT (passivated emitter, rear totally diffused) Solarzellen zu verbessern.

Autor*in

Fabian Kiefer

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Ionen-implantierter Boremitter Kontaktierung n-Typ Silizium-Solarzellen

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