Reales und virtuelles Experiment zur optischen Charakterisierung von SiC-Bauelementen
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Beschreibung
Ladungsträger- und Temperaturverteilungen in Halbleiterbauelementen sind bauelementinterne Größen und bisher nur integral über deren Klemmenverhalten messbar. Das in diesem Buch beschriebene optische Messverfahren bietet zu diesen internen Größen einen messtechnischen Zugang und wird am Beispiel von bipolaren Dioden aus 4H-SiC demonstriert. Zudem wird dieses reale Experiment durch Simulation als virtuelles Experiment nachgebildet und so eine umfassende Beschreibung der internen Größen erzielt.
Ladungsträger- und Temperaturverteilungen in Halbleiterbauelementen sind bauelementinterne Größen und bisher nur integral über deren Klemmenverhalten messbar. Das in diesem Buch beschriebene optische Messverfahren bietet zu diesen internen Größen einen messtechnischen Zugang und wird am Beispiel von bipolaren Dioden aus 4H-SiC demonstriert. Zudem wird dieses reale Experiment durch Simulation als virtuelles Experiment nachgebildet und so eine umfassende Beschreibung der internen Größen erzielt.
Autor*in
Dorothea Werber