Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren

Beschreibung

AlGaN-Photodetektoren bieten erhebliche Vorteile gegenüber herkömmlichen Si-basierten Photodetektoren hinsichtlich der Zuverlässigkeit und der elektrooptischen Leistungseigenschaften. Schwerpunkt dieser Dissertation ist daher die metallorganische Gasphasenepitaxie und die Charakterisierung der AlGaN-Schichten zur Prozessierung von p-i-n-Photodioden für die Messung von UV-Strahlung.

Autor*in

Björn Albrecht

Themen in »Epitaxie und Charakterisierung von AlGaN-basierten UV-Photodetektoren«

Fraunhofer IAF electronic devices & materials optical physics applied physics UV-Photodetektoren Gasphasenepitaxie Forschungsingenieure Forschungsingenieure

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