Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Simulation mit PSPICE
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Beschreibung
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.
Der Inhalt
Halbleiterdioden – Bipolartransistoren – Sperrschicht-Feldeffekttransistoren – Mos-Feldeffekttransisotoren – Leistungs-Mos-Feldeffekttransistor – Operationsverstärker – Optokoppler
Die Zielgruppen
Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten
Ingenieure und Physiker in der Praxis
Der Autor
Prof. Dr.-Ing. habil. Peter Baumann ist Lehrbeauftragter für das Modul Elektronik an der Hochschule Bremen.
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.
Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen
Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.
Autor*in
Peter Baumann
Themen in »Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen«
Bipolartransistor Feldeffekttransistor Halbleiterdiode OrCAD-PSPICE SPICE-Modellparameter Sperrschickt-Feldeffekttransistor