Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika
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Beschreibung
Diese Arbeit beschreibt experimentelle und atomistische Simulationen zur Zuverlässigkeitsanalyse von integrierten MOS-Transistoren in einer 130nm CMOS-Technologie. Eine Teststruktur mit mehr als 1.024 Einzelelementen zur automatischen Erhebung einer großen Statistik bezüglich der Analogeigenschaften der Transistoren wurde hergestellt. Zusätzlich zu den elektrischen Analysen des Transistors wurden atomistische Modelle des Dielektrikums aufgebaut, um mittels quantenchemischen Simulationen die Degradation näher zu untersuchen und die Simulationsdaten mit dem Experiment zu vergleichen.
Autor*in
Kristian Hafkemeyer
Themen in »Experimentelle und theoretische Untersuchungen der Degradation von ultradünnen MOS-Gatedielektrika«
CMOS Degradation Gatedielektrika MOS-FET Matrix-Teststrukturen