Entwicklung, Entwurf und Anwendung von nichtflüchtigen Analogwertspeicherelementen auf Basis von Floating-Gate-Speicherzellen in einer Standardtechnologie

Beschreibung

Die vorliegende Arbeit beschreibt die Entwicklung von nichtflüchtigen Analogwertspeichern zur Anwendung in analogen und MixedSignalSchaltkreisen. Die Basis dieses Entwurfs bilden FloatingGateSpeicherzellen, wie sie aus digitalen Speicherschaltkreisen bekannt sind. Eine für diese Anwendung geeignete Speicheranordnung wird ausgewählt, die sich durch gute Eigenschaften in Bezug auf Stabilität und Wiederprogrammierbarkeit auszeichnet. Ihre Anpassung an spezielle Anforderungen in Bezug auf Genauigkeit und Stabilität der Speicherung wird beschrieben und eine Ansteuerung der Zelle zur Programmierung mit Analogwerten vorgestellt. Die Eigenschaften des Speicherzellentwurfs werden messtechnisch untersucht, um die Betriebsbedingungen zu bestimmen. Das Alterungsverhalten der Speicherzellen und der Tunneloxide wird betrachtet. Die Stabilität der abgelegten Werte wird dargestellt. Abschließend werden Anwendungsschaltkreise und ihre Eigenschaften beschrieben.

Autor*in

Dagmar Kirsten

Themen in »Entwicklung, Entwurf und Anwendung von nichtflüchtigen Analogwertspeicherelementen auf Basis von Floating-Gate-Speicherzellen in einer Standardtechnologie«

FLOTOX-Speicherzelle TPFG-Speicherzelle SIMOS-Speicherzelle Sample&Hold-Schaltung EEPROM-Zelle Referenzspannungsquelle Operationsverstärker Verilog A-Tunnelstrom-Modell Tunneloxidkapaiztät Programmierfenstergröße Tunneleffekt Ladungsträger-Injektion

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