Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte
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Beschreibung
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Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.
Autor*in
Jasper Schnack
Themen in »Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte«
Traktionsumrichter, Elektrofahrzeuge Antriebsumrichter, elektrischer Antriebsstrang parasitäre Elemente, Siliziumcarbid (SiC) Galiumnitrid (GaN), Wide-Bandgap neuartiges Halbleitermaterial Leistungshalbleiter, Optimierung Modellbildung, Simulation, EMV Filter, Magnetische Bauelemente parasitäre Kapazitäten, hartes Schalten Leistungsdichte, Kommutierungsmasche Induktivität, Kapazität Schaltfrequenz, Wirkungsgrad Impedanzanalyse, Energiesysteme erneuerbare Energien, Flankensteilheit Zwischenkreiskondensator, Leistungsmodul