Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit

Beschreibung

Diese Arbeit untersucht das betriebsinduzierte Degradationsverhalten von InAlGaN-basierten UV-C und UV-B LEDs. Durch Analyse des zeitlichen Verlaufs von elektroopti-schen Parametern, wie beispielsweise optische Leistung und Betriebsspannung, sowie Materialanalytischen Messungen konnten drei Degradationsmechanismen identifiziert werden, welche zu einer Reduktion der optischen Leistung der LEDs führen: Die Aktivie-rung von Magnesium-Wasserstoff-Komplexen, die Bildung von Punktdefekten in der akti-ven Zone, sowie die Diffusion von Punktdefekten in die aktive Zone. Optimierungen der Heterostruktur, des p-Dotierprofil und der Elektronenblockierschicht verbesserten die Lochinjektion und strahlende Rekombination, wodurch die initiale Leistung erhöht und die Lebensdauer der LEDs deutlich gesteigert werden konnte.

Autor*in

Johannes Glaab

Themen in »Untersuchung der Degradation von InAlGaN-basierten ultravioletten Leuchtdioden zur Verbesserung der Zuverlässigkeit«

Ladungsträger, Strahlungsquellen, Halbleiter, Inalgan Leckstrom, nichtstrahlend, Rekombination, Photostrom, LED Degradationsmechanismen, Degradationsverhalten, elektrooptisch Elektronenblockierschicht, Molekularstrahlepitaxie, metallorganische Gasphasenepitaxie

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