Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen
Simulation mit PSPICE
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Beschreibung
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen.
Der Inhalt- Halbleiterdioden
- Bipolartransistoren
- HF-Transistoren mit Streuparametern
- Sperrschicht-Feldeffekttransistoren
- Leistungs-MOS-Feldeffekttransistor
- Operationsverstärker
- Optokoppler
- NTC- und PTC-Sensoren
- RGB-Farbsensor
- Piezoelektrische Summer
- Ultraschallwandler
- Gassensoren
- Ionensensitiver Feldeffekttransistor
- Silizium-Solarzellen
- Studierende der Studiengänge Elektrotechnik sowie Technische und Angewandte Physik an Fachhochschulen und Technischen Universitäten
- Ingenieure und Physiker in der Praxis
Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms ORCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit PSPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird ausgeführt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler. In einem neuen Abschnitt werden Streuparameter-Analysen zum bipolaren HF-Transistor vorgenommen. Behandelt wird ferner die Ermittlung der Modellparameter von Sensoren zur Erfassung von Temperatur, Licht, Feuchte, Kraft, Schall, Gaskonzentration und pH-Wert. Das abschließende neue Kapitel widmet sich der Parameterextraktion von multikristallinen, monokristallinen und Dünnschicht-Silizium-Solarzellen.
Statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen zurück gewinnen Ergänzung zum Laborpraktikum Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler Simulationswerkzeug für den Elektronikentwickler
Autor*in
Peter Baumann
Themen in »Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen«
Elektrotechnik Elektronik Feldeffekttransistor Halbleiterdiode OrCAD-PSPICE SPICE-Modellparameter Sperrschicht-Feldeffekttransistor Bipolartransistor Transistor Buch Halbleiter Bauelement Optokoppler. Operationsverstärker MOS-Feldeffekttransistor