Handbook of Nitride Semiconductors and Devices

Beschreibung

Dieser erste Band geht auf Eigenschaften und Wachstumsverhalten von Gallium-Nitriden unter Berücksichtigung von ausgedehnten Defekten, Punktdefekten und Dotierung ein. Ein Schwerpunkt liegt auf den Abscheidungsmethoden VPE, CVD und MBE und Wachstum unter Hochdruckbedingungen.

Autor*in

Hadis Morkoc

Themen in »Handbook of Nitride Semiconductors and Devices«

Electrical & Electronics Engineering Elektrotechnik u. Elektronik Halbleiter Halbleiterphysik Physics Physik Semiconductor Physics Semiconductors

Stimmen zu »Handbook of Nitride Semiconductors and Devices«

Details

Link teilen